課程描述INTRODUCTION
比較應(yīng)用技術(shù)和方法
· 培訓(xùn)經(jīng)理· 人事經(jīng)理· 人事總監(jiān)
日程安排SCHEDULE
課程大綱Syllabus
培訓(xùn)目標(biāo)
為了檢定某總體的特性利用樣本數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗
對某總體設(shè)定的假設(shè)檢驗的判定步驟
多個總體設(shè)定的假設(shè)檢驗的判定步驟
使用Minitab來進行比較分析,得出結(jié)果變得方便容易
課程大綱
一概述
1.為什么要學(xué)習(xí)比較分析
2.什么是比較分析
3.比較分析的流程圖
二假設(shè)檢驗
1.假設(shè)檢驗問題
2.假設(shè)檢驗的基本步驟
3.P-值另一個判斷準(zhǔn)則
三單個正態(tài)均值μ的u檢驗(s已知)
1.單個正態(tài)均值μ的假設(shè)檢驗(s已知)
2.單個正態(tài)均值μ的假設(shè)檢驗(s已知)實例分析
3.課堂練習(xí)一——三極管的放大倍數(shù)是否降低檢驗
四單個正態(tài)均值μ的t檢驗(s未知)
1.單個正態(tài)均值μ的假設(shè)檢驗(s未知)
2.單個正態(tài)均值μ的假設(shè)檢驗(s未知)實例分析
3.課堂練習(xí)二——硅片用化學(xué)品的儲存期限檢驗
4.應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標(biāo)準(zhǔn)
五單個正態(tài)方差s2的c2檢驗
1.單個正態(tài)方差s2的假設(shè)檢驗
2.單個正態(tài)方差s2的假設(shè)檢驗實例分析
3.課堂練習(xí)三——等離子體刻蝕器的合格性檢驗
六兩個正態(tài)總體均值μ的u檢驗(s已知)
原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
七兩個正態(tài)總體均值μ的t檢驗(s1=s2,s未知)
1.原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
2.兩個正態(tài)總體均值μ的檢驗(s1=s2,s未知)實例分析
3.課堂練習(xí)四——兩臺光刻機工藝的線寬均值有無顯著差異
4.應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標(biāo)準(zhǔn)
八兩個正態(tài)總體均值μ的t檢驗(s11s2,s未知)
原假設(shè)、備擇假設(shè)、檢驗統(tǒng)計量、拒絕域
九兩個正態(tài)方差比較的F檢驗
1.兩個正態(tài)方差s2的假設(shè)檢驗
2.兩個正態(tài)方差s2的假設(shè)檢驗實例分析
3.課堂練習(xí)五——Fab3LIS05光刻機上線檢驗
4.應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標(biāo)準(zhǔn)
十成對數(shù)據(jù)比較
1.成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗
2.成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗實例分析
3.成對數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗二種方法的比較與分析
4.課堂練習(xí)六——設(shè)備做保養(yǎng)前后有無顯著改善檢驗
5.應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標(biāo)準(zhǔn)
十一多組數(shù)據(jù)比較
1.多組數(shù)據(jù)的假設(shè)檢驗實例分析
2.課堂練習(xí)七——多臺設(shè)備的工藝比較有無顯著異常檢驗
3.應(yīng)用Minitab進行實例分析的操作步驟與評判標(biāo)準(zhǔn)
十二練習(xí)
1.確定C2F4流率對刻蝕硅片的均勻性是否有影響檢驗
2.兩臺用來充裝的機器凈容量均值檢驗
3.等離子體刻蝕器的合格性試驗
4.制鞋材料壽命長短的檢驗實驗
十三微電子有關(guān)比較*成果閱讀材料
1.樣本與置信區(qū)間
2.獨立性問題探討
3.Box-CoxTransformations問題
4.非參數(shù)統(tǒng)計方法
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